真空或氩气环境中在SiC(0001)上形成外延石墨烯
材料科学
2023-05-03 v2
摘要
通过原子力显微镜、低能电子显微镜和扫描隧道显微镜/谱学研究了石墨烯在SiC(0001)表面（Si面）上的形成。石墨烯的形成是由于高温下Si从表面优先升华，并且已在高真空和1个大气压的氩气环境中研究了其形成过程。在真空中，大约1400°C的温度下会形成几个单层的石墨烯，而在氩气中则需要约1600°C的温度才能获得单层石墨烯。在两种情况下，都观察到表面发生显著的台阶运动，导致形成横向间距大于10微米的台阶束。在台阶束之间，发现了石墨烯的逐层生长。还识别出石墨烯表面存在无序的二次石墨相。
引用
@article{arxiv.1003.5842,
title = {Formation of Epitaxial Graphene on SiC(0001) using Vacuum or Argon Environments},
author = {Luxmi and N. Srivastava and R. M. Feenstra and P. J. Fisher},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.5842},
year = {2023}
}
备注
To appear in J. Vac. Sci. Technol. B