氩气氛下 SiC 表面石墨烯的 CVD 形成
材料科学
2017-09-13 v1
摘要
我们研究了在氩气氛中于 SiC 表面通过丙烷化学气相沉积 (CVD) 生长石墨烯的微观过程。实验已知，在约 2000K 的高温下，氩气的存在加速了表面的脱氢过程。我们在零温下进行从头计算 (ab-initio calculations)，以检验化学反应是否能解释这一现象。密度泛函理论及支持的量子化学方法定性地描述了石墨烯晶圆的形成。我们发现 4H-SiC(0001) 表面在烃分子吸附过程中表现出巨大的催化效应，初步的分子动力学结果也支持了这一点。ArH+ 分子的存在以及拉曼光谱中观察到的负电荷转移至 SiC 表面表明，氩原子的存在导致了表面的去质子化，这对于获得纯碳附加层是必要的。然而，零温描述显示，冷环境不足以促进氩辅助的表面清洁。
引用
@article{arxiv.1306.2027,
title = {CVD Formation of Graphene on SiC Surface in Argon Atmosphere},
author = {Malgorzata Wierzbowska and Adam Dominiak and Kamil Tokar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.2027},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 2 tables, 3 figures