SiC(0001) 表面石墨烯初始形成过程的微观机制
材料科学
2016-11-21 v2
摘要
我们报道了基于密度泛函理论的总能计算，阐明了 SiC(0001) 表面石墨烯形成初始阶段的微观机制。我们通过确定脱附及后续迁移路径并首次计算相应能垒，探索了台阶表面上 Si 或 C 原子脱附的有利反应。我们发现台阶边缘 Si 原子的脱附及其向稳定台面位点后续迁移的能垒比 C 原子低 0.75 eV，表明 Si 从 SiC 表面的选择性脱附。我们还发现后续的 Si 脱附是放热反应。该放热性源于留在台阶边缘附近的 C 原子成键所获得的能量增益。这无疑是石墨烯薄片的前驱体。
引用
@article{arxiv.1611.04404,
title = {Microscopic mechanisms of initial formation process of graphene on SiC(0001) surfaces},
author = {Fumihiro Imoto and Jun-Ichi Iwata and Mauro Boero and Atsushi Oshiyama},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.04404},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 9 figures