SiC(0001)上少层石墨烯的电荷溢出与功函数
材料科学
2018-06-14 v1
摘要
我们报道了外延少层石墨烯在6H-SiC(0001)上的电荷溢出和功函数。高分辨率能量过滤X射线光电子发射显微镜(XPEEM)实验与使用弛豫界面模型的第一性原理密度泛函理论(DFT)计算相结合。理论和实验得到的功函数值定性一致，再现了先前观察到的随着石墨烯层数增加功函数增加的趋势。通过缓冲层在SiC/石墨烯界面处的电子转移引起界面偶极矩，这是石墨烯功函数调制的起源。总电荷转移与石墨烯层数无关，并且与XPEEM测量的C 1s芯能级中SiC组分的恒定结合能一致。电荷泄漏到真空中取决于石墨烯层数，这解释了为什么实验上依赖于层数的C 1s-石墨烯芯能级结合能位移并不严格跟随功函数的变化。因此，SiC/石墨烯界面处的电荷转移和电荷溢出到真空中的组合解决了实验功函数和C1s结合能之间的明显差异。
引用
@article{arxiv.1806.04908,
title = {Charge spill-out and work function of few-layer graphene on SiC(0001)},
author = {O. Renault and A. M. Pascon and H. Rotella and K. Kaja and C. Mathieu and J. E. Rault and P. Blaise and T. Poiroux and N. Barrett and L. R. C. Fonseca},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.04908},
year = {2018}
}
备注
14 pages, 9 figures