基于密度泛函理论的的外延石墨烯界面缓冲层成键特性
材料科学
2021-12-08 v1
摘要
单层外延石墨烯是多种电子与光学应用的合适候选者。在 SiC 的 Si 面生长石墨烯的一个优势是它以单晶形式发育，其下方通常称为界面缓冲层的那一层亦然。该支撑层的性质包括带隙，这使得寻求构建具有开关能力器件的团队对其感兴趣。本工作中，我们利用密度泛函理论计算了缓冲层与其下方 SiC 衬底之间的成键特性。这些计算用于确定作为该界面锚点的共价键之间的周期长度。此外，明显可见这些锚点的形成依赖于石墨烯层与 SiC 之间的晶格失配。
引用
@article{arxiv.2112.03711,
title = {Bonding characteristics of the interfacial buffer layer in epitaxial graphene via density functional theory},
author = {Alana Okullo and Heather M. Hill and Albert F. Rigosi and Angela R. Hight Walker and Francesca Tavazza and Sugata Chowdhury},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.03711},
year = {2021}
}