界面耦合控制HMTP在石墠/SiC上的分子薄膜生长
材料科学
2026-05-07 v1
摘要
表面生长在决定有机半导体的结构和电子性质方面起着关键作用。石墠作为著名的范德鲁克斯模板，用于分子自组装；然而，石墠/SiC界面本质上是异质的，单层石墠与共价结合的缓冲层残留物共存，这可能影响分子有序性。本文结合低能电子显微镜和衍射、X射线衍射，跟踪了2,3,6,7,10,11-六甲氧基苯吡啶(HMTP)从第一层到薄膜的有序性。HMTP在单层石墠上形成高度有序的薄膜，而在缓冲层上则以无定形形式生长，进化为晶体性薄膜，与衬底的取向较弱。关键在于，氢化过程解耦缓冲层，将其转换为准自由单层石墠，从而恢复薄膜的有序生长。这些发现表明，界面耦合决定了石墠/SiC界面上分子薄膜的生长，而通过氢化实现的界面工程为控制石墠上的有机薄膜晶体性提供了可扩展的途径。
引用
@article{arxiv.2601.22263,
title = {Interfacial Coupling Controls Molecular Epitaxy of HMTP on Graphene/SiC},
author = {Devanshu Varshney and Pavel Procházka and Veronika Stará and Mykhailo Shestopalov and Jan Kunc and Jiří Novák and Jan Čechal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.22263},
year = {2026}
}