控制单层TaSe2在双层石墨烯上的结构与界面相互作用
材料科学
2024-07-30 v1
摘要
两个二维（2D）晶体之间界面效应的可调性对于理解每个系统的固有性质以及基于超薄异质结构设计电子器件至关重要。异质结构工程的前提条件是可获得具有不同程度界面相互作用的2D晶体。本文报告了单层TaSe2在双层石墨烯（BLG）基底上采用分子束真空沉积法生长具有不同结构相（1H和1T）的控制性生长，并利用角分辨光电子能谱分析其对异质结构电子性质的影响。1H-TaSe2在界面表现出显著的电荷转移和能带杂化，而1T-TaSe2与基底之间的相互作用较弱。由于工作函数差异以及TaSe2薄膜与BLG基底之间的相对垂直距离之差，导致两种界面相互作用的差异。本文所示的方法为在多种过渡金属化硫化物上进行界面工程提供了可行途径，可用于未来基于设计电子性质的纳米器件。
引用
@article{arxiv.2407.19207,
title = {Controlling structure and interfacial interaction of monolayer TaSe2 on bilayer graphene},
author = {Hyobeom Lee and Hayoon Im and Byoung Ki Choi and Kyoungree Park and Yi Chen and Wei Ruan and Yong Zhong and Ji-Eun Lee and Hyejin Ryu and Michael F. Crommie and Zhi-Xun Shen and Choongyu Hwang and Sung-Kwan Mo and Jinwoong Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.19207},
year = {2024}
}
备注
23 pages, 4 figures