2H-TaS$_2$ 薄层在GaNO(0001)上的分子束沉积
材料科学
2025-10-23 v2
摘要
在GaNO(0001)上生长了2H-TaS薄层。高基板生长温度825℃可获得 overlayer的最佳结构性能，由现场电子衍射(RHEED和LEED)所验证。该2D overlayer在沉积单层后即呈无应变生长。然而，扫描电子透射显微镜提供了界面处坑洞的证据，可能源于GaNO在高生长温度下的热分解。在现场X射线光电子能谱显示，核心能级位移与来自n-GaNO(0001)的电子转移至2H-TaS薄层一致，同时表明界面处形成高浓度氮空位。进一步的XPS结果表明，基板与所生长的TaS overlayer之间不存在化学反应，这充实了将2D 2H-TaS与重要3D半导体材料GaNO集成的可能性。
关键词
引用
@article{arxiv.2508.21537,
title = {Molecular Beam Epitaxy of 2H-TaS$_2$ few-layers on GaN(0001)},
author = {Constantin Hilbrunner and Tobias Meyer and Joerg Malindretos and Angela Rizzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.21537},
year = {2025}
}