分子束外延制备 Cd3As2 外延层中的缺陷及其抑制策略
材料科学
2019-12-18 v1
摘要
分子束外延为研究拓扑半金属 Cd3As2 的行为提供了令人振奋的途径，可实现掺杂、合金化、应变工程和异质结构制备。然而迄今为止，由于衬底限制和狭窄生长窗口所引入的缺陷对外延层的影响鲜有探究。在此，我们结合晶格匹配的 ZnxCd1-xTe 缓冲层、偏切衬底和宽带光照，研究位错、孪晶和点缺陷如何影响 Cd3As2 的电子迁移率。多种缺陷抑制方法的结合使 Cd3As2 外延层在室温下电子迁移率超过 15,000 cm2/V-s。
引用
@article{arxiv.1909.01450,
title = {Defects in Cd3As2 Epilayers Via Molecular Beam Epitaxy and Strategies for Reducing Them},
author = {Anthony Rice and Kwangwook Park and Eamonn Hughes and Kunal Mukherjee and Kirstin Alberi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.01450},
year = {2019}
}