分子束外延生长 CdTe 量子点的超低密度

J. Kobak; J. -G. Rousset; R. Rudniewski; E. Janik; Słupiński; P. Kossacki; A. Golnik; W. Pacuski

doi:10.1016/j.jcrysgro.2012.12.133

分子束外延生长 CdTe 量子点的超低密度

介观与纳米尺度物理 2016-10-20 v2

作者: J. Kobak , J. -G. Rousset , R. Rudniewski , E. Janik , Słupiński , P. Kossacki , A. Golnik , W. Pacuski

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摘要

本文介绍了控制分子束外延（MBE）生长的自组装 CdTe 量子点（QDs）密度的方法。讨论了两种途径：提高 CdTe 的沉积温度和减小 CdTe 层厚度。低温光致发光（PL）测量证实，这两种方法均可显著降低 QDs 密度，从 10 $^{10}$ QD/cm $^2$ 降至 10 $^7$ -10 $^8$ QD/cm $^2$ 。对于极低的 QDs 密度，可以识别光谱中观测到的所有 QDs 谱线。

关键词

CdTe 量子点分子束外延量子点密度光致发光自组装纳米结构沉积温度

引用

@article{arxiv.1210.2946,
  title  = {Ultra low density of CdTe quantum dots grown by MBE},
  author = {J. Kobak and J. -G. Rousset and R. Rudniewski and E. Janik and Słupiński and P. Kossacki and A. Golnik and W. Pacuski},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1210.2946},
  year   = {2016}
}

备注

4 pages, 7 figure

分子束外延生长 CdTe 量子点的超低密度

摘要

关键词

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