Si 衬底上 CdTe 量子点生长的一维模型
材料科学
2009-11-11 v1 统计力学
摘要
近期涉及通过热壁外延在 Si(111) 衬底上生长 CdTe 薄膜的实验揭示了此前未观察到的特征 [S. O. Ferreira et al., J. Appl. Phys. 93, 1195 (2003)]。该系统遵循 Volmer-Weber 生长模式，在蒸发材料不足一个单层时即有成核的孤立三维岛出现，并表现出独特的量子点（QD）尺寸分布行为。在本工作中，我们提出了一个动力学沉积模型以重现这些新特征。该模型包含 CdTe 的热激活扩散和蒸发，定性上重现了实验中的 QD 尺寸分布。此外，该模型预测在较低温度下会发生从 Stranski-Krastanow 生长模式到较高温度下 Volmer-Weber 生长模式的转变，这一转变可通过 QD 宽度分布来表征。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0601050,
title = {A one-dimensional model for the growth of CdTe quantum dots on Si substrates},
author = {S. C. Ferreira and S. O. Ferreira},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0601050},
year = {2009}
}
备注
to appear in Physics Letters A