CdTe 与 CdZnTe 原子层外延中的吸附、脱附与互扩散
应用物理
2019-10-09 v1
摘要
研究了控制外延 CdTe 与 CdZnTe 薄膜生长速率与组成的机制。薄膜通过等温闭空间配置技术生长。GaAs 100 衬底在等温条件下依次暴露于元素源 Zn、Te 与 Cd。ZnTe 的生长遵循原子层外延（ALE） regime，每循环自调节为一个单分子层；而 CdTe 薄膜显示出依赖于生长参数、暴露与吹扫时间的不同生长速率。短吹扫时间与较长 Cd 暴露时间组合导致 CdTe 的非自调节生长 regime。这归因于依赖于 Cd 暴露时间、遵循 Brunauer-Emmett 与 Teller 型吸附的大 Cd 覆盖度。然而，对于较长吹扫时间和/或短 Cd 暴露时间，实现了每循环 2 个单分子层的 ALE 自调节 regime。就此意义，生长的自调节受脱附而非吸收限制，与传统生长技术相反。已证实在 Zn 暴露期间 Cd 原子被 Zn 原子替代并随后表面 Cd 原子蒸发。讨论了这些事实对合金生长与组成的影响。
引用
@article{arxiv.1910.02944,
title = {Adsorption, desorption, and interdiffusion in atomic layer epitaxy of CdTe and CdZnTe},
author = {E. M. Larramendi and O. de Melo and M. Hernández Vélez and M. C. Tamargo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.02944},
year = {2019}
}