低温分子束外延中扩散驱动的纳米线生长
介观与纳米尺度物理
2016-06-08 v2
摘要
以ZnTe为例，我们使用两种不同方法来揭示低温下金催化分子束外延生长纳米线的特征。第一种方法中，采用CdTe插入层作为标记，并利用扫描透射电子显微镜（包括几何相位分析）和能量色散电子能谱对纳米线进行表征；第二种方法使用扫描电子显微镜以及锥形纳米线长度与其底部直径关系的统计。轴向和径向生长采用适应生长条件的扩散限制模型进行量化；解析表达式很好地描述了纳米线长度与总分子通量（考虑effusion cells的取向）以及催化剂-纳米线接触面积之间的关系。观察到较长的孕育时间。该分析使我们能够评估基底上和沿纳米线侧壁的扩散长度随温度以及偏离化学计量通量的演化。
引用
@article{arxiv.1603.09566,
title = {Diffusion-driven growth of nanowires by low-temperature molecular beam epitaxy},
author = {P. Rueda-Fonseca and M. Orrù and E. Bellet-Amalric and E. Robin and M. Den Hertog and Y. Genuist and R. André and S. Tatarenko and J. Cibert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.09566},
year = {2016}
}
备注
13 pages, 7 figures