纳米线生长与升华：ZnTe 纳米线中的 CdTe 量子点
材料科学
2018-05-02 v2
摘要
以 CdTe-ZnTe 异质结构为例，说明了半导体纳米线生长过程中化合物的升华和组分从金纳米颗粒中蒸发的作用。在接近温度上限下操作会极大地减少金纳米颗粒中存在的 Cd 量以及纳米线侧壁上的吸附原子密度。结果是，生长速率很小且强烈依赖于温度，但良好的生长条件控制允许将量子点嵌入具有锐利界面和可调形状的纳米线中，并且如光致发光所证实，它使径向生长及随后在纳米线侧壁上形成额外 CdTe 团簇最小化。当中断通量时，无覆盖层的 CdTe 段溶解到金纳米颗粒中，产生归因于 Kirkendall 效应的球状（悬滴）形状。
引用
@article{arxiv.1803.10610,
title = {Nanowire growth and sublimation: CdTe quantum dots in ZnTe nanowires},
author = {Marta Orrù and Eric Robin and Martien I Den Hertog and Kimon Moratis and Yann Genuist and Régis André and David Ferrand and Joel Cibert and Edith Bellet-Amalric},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.10610},
year = {2018}
}