低温生长单根 ZnTe 纳米线的光学性质
材料科学
2014-01-30 v1
摘要
我们在富 Te 条件下，于 350\degree 低温在 ZnTe(111) 缓冲层上通过分子束外延生长了光学活性的金催化 ZnTe 纳米线，密度极低（每微米从 1 到 5 根）。透射电子显微镜鉴定其晶体结构为闪锌矿结构。所有纳米线均呈锥形，且大部分沿<111>方向取向。我们对单根纳米线进行了低温微光致发光和阴极荧光实验。观察到一条窄发射线，相对于体材料 ZnTe 中的激子能量蓝移了 2 或 3 meV。该蓝移归因于覆盖纳米线的 5 nm 厚氧化层引起的应变，这一假设得到了纳米线中应变定量估算的支持。
引用
@article{arxiv.1306.2858,
title = {Optical properties of single ZnTe nanowires grown at low temperature},
author = {Alberto Artioli and Pamela Rueda-Fonseca and Petr Stepanov and Edith Bellet-Amalric and Martien Den Hertog and Catherine Bougerol and Yann Genuist and Fabrice Donatini and Régis André and Gilles Nogues and Kuntheak Kheng and Serge Tatarenko and David Ferrand and Joel Cibert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.2858},
year = {2014}
}