分子束外延在ZnO(0001)上生长的单晶PtSe2的高载流子迁移率
材料科学
2022-02-25 v1
摘要
PtSe2作为一种高迁移率二维材料正受到广泛关注，其在微电子、光探测和自旋电子学中有望得到应用。在具有晶圆级均匀性的绝缘衬底上生长高质量PtSe2，是进行电学输运研究及器件实际应用的先决条件。在此，我们报道了通过分子束外延在ZnO(0001)上生长高度取向的少层PtSe2。薄膜的晶体结构通过电子与X射线衍射、原子力显微镜和透射电子显微镜进行表征。与在石墨烯、蓝宝石、云母、SiO2和Pt(111)上生长的PtSe2层相比，在绝缘衬底中ZnO(0001)所得到的薄膜结构质量更优。对含有5层PtSe2的外延ZnO/PtSe2进行霍尔测量，显示出明确的半导体行为，并在室温下迁移率超过200 cm2V-1s-1，低温下可达447 cm2V-1s-1。
引用
@article{arxiv.2109.08102,
title = {High carrier mobility in single-crystal PtSe2 grown by molecular beam epitaxy on ZnO(0001)},
author = {Frédéric Bonell and Alain Marty and Céline Vergnaud and Vincent Consonni and Hanako Okuno and Abdelkarim Ouerghi and Hervé Boukari and Matthieu Jamet},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.08102},
year = {2022}
}