分子束外延生长 Co 掺杂 ZnO 薄膜的铁磁性：磁学、电学与微结构研究
材料科学
2011-03-24 v1
摘要
我们研究了在 (0001) 蓝宝石衬底上通过等离子体辅助分子束外延 (MBE) 生长的高质量 5% 和 15% Co 掺杂 ZnO 薄膜的结构、光学和磁学性质。磁力显微镜 (MFM) 和 SQUID 磁强计测量表明，薄膜在室温下表现出明显的铁磁行为，而在大约 200 K 以下则表现为反铁磁性。利用纵向光学声子-等离激元耦合模式的拉曼线形分析，确定了载流子迁移率的温度依赖关系。结果表明，铁磁有序的微观机制是由自由电子介导的 Co 原子自旋之间的耦合。这些结果深入揭示了 MBE 生长的 Zn(1-x)CoxO 薄膜中电荷载流子与磁性之间的微妙相互作用。
引用
@article{arxiv.1103.4463,
title = {Ferromagnetism in Co-doped ZnO films grown by molecular beam epitaxy: magnetic, electrical and microstructural studies},
author = {V. V. Strelchuk and K. A. Avramenko and V. P. Bryksa and P. M. Lytvyn and M. Ya. Valakh and V. O. Pashchenko and O. M. Bludov and C. Deparis and C. Morhain and P. Tronc},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.4463},
year = {2011}
}
备注
10 pages, 9 figures, 2 tables