p型立方（Ga,Mn）N 中的输运与磁性
材料科学
2014-01-03 v1
摘要
报告了由等离子体辅助分子束沉积制备的 p 型立方（Ga,Mn）N 薄膜的电性与磁性。室温下观察到浦度浓度超过 10^18 cm^-3。在约 150K 以下观察到活化行为，其接受能级活化能约为 45-60 meV。浦度浓度和活化能随 Mn 浓度的变化表明浅接受能级并非仅由意外共掺杂导致。对自由薄膜的热电功率测量、CV 轮廓分析以及电导随薄膜厚度和生长温度的依赖性，均表明导电性并非源于向基片的扩散。我们因此将 p 型导电性与立方 GaN 薄膜中 Mn 的存在相关联。磁力测量显示室温下小范围的铁磁相，以及在低温下显著较大的磁性耦合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411476,
title = {Transport and Magnetism in p-type cubic (Ga,Mn)N},
author = {KW Edmonds and SV Novikov and M Sawicki and RP Campion and C. R. Staddon and AD Giddings and LX Zhao and KY Wang and T Dietl and CT Foxon and BL Gallagher},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411476},
year = {2014}
}
备注
14 pages