通过分子束外延生长的GaMnAs薄膜的生长与光发射
介观与纳米尺度物理
2015-06-23 v1 材料科学
摘要
使用250 {\deg}C的衬底温度，通过分子束外延生长了具有不同Mn掺杂浓度的GaMnAs薄膜。利用8至300 K的光致发光（PL）测量研究了这些薄膜。我们识别了涉及Mn受主的转变，并发现结合能约为0.1 eV。发现依赖于Mn掺杂浓度的PL光谱有助于从局部层面了解薄膜质量。温度依赖的PL研究表明，随着温度升高，掺杂相关发射在能量上比其他峰下降更快，表明它们对周围环境的改变更敏感。
引用
@article{arxiv.1502.06017,
title = {Growth of and optical emission from GaMnAs thin films grown by molecular beam epitaxy},
author = {J. F. Xu and S. W. Liu and M. Xiao and P. M. Thibado},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.06017},
year = {2015}
}
备注
8 pags, 3 figures, 1 table