分子束外延生长的GaMnAs/GaAs(001)薄膜中异常的Mn深度分布
介观与纳米尺度物理
2015-06-24 v1 材料科学
摘要
采用动态二次离子质谱和俄歇电子能谱，研究了在不同 Mn 源温度、于 580 和 250{\deg}C 衬底温度下生长的 Mn 掺杂 GaAs 薄膜中的 Mn 浓度深度分布。当样品在 250{\deg}C 的低衬底温度下生长时，Mn 均匀分布。对于在 580{\deg}C 高衬底温度下生长的样品，仅当 Mn 浓度高于固溶度极限时，浓度深度分布才能用温度相关的费米函数轻松拟合。然而，当 Mn 浓度低于固溶度极限时，在浓度深度分布中观察到意外的峰。
引用
@article{arxiv.1502.06879,
title = {Anomalous Mn depth profiles for GaMnAs/GaAs(001) thin films grown by molecular beam epitaxy},
author = {J. F. Xu and P. M. Thibado and C. Awo-Affouda and F. Ramos and V. P. LaBella},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.06879},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 4 figures