通过分子束外延生长的立方 GaMnN 层的 p 型导电性
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
立方体（锌盒形）Ga1-xMnxN 层通过等离子体辅助分子束外延生长于 GaAs (001) 衬底上。Some of the structures also contained cubic AlN buffer layers. Auger 电子光谱和二离子质谱证实了 Mn 被均匀地掺入立方体 GaN 中。X 射线衍射研究表明，掺 Mn 的 GaN 薄膜是立方体的，且在 Mn 浓度 x<0.1 时不出现相分离。对于立方体 Ga1-xMnxN 层观察到 p 型导电性，适用于较宽的 Mn 掺杂水平。测得的室温空穴浓度对 Mn 掺入呈非线性依赖，范围为 3x10^16 至 5x10^18 cm-3。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0311504,
title = {P-type conductivity in cubic GaMnN layers grown by molecular beam epitaxy},
author = {S. V. Novikov and K. W. Edmonds and A. D. Giddings and K. Y. Wang and C. R. Staddon and R. P. Campion and B. L. Gallagher and C. T. Foxon},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0311504},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 3 figures