氮化钪在六方 SiC、GaN 和 AlN 上的分子束外延生长
材料科学
2020-01-08 v1
摘要
发现 RF 等离子体辅助 MBE 在 GaN (0001)/SiC、AlN (0001)/Al2O3 以及 6H-SiC (0001) 六方衬底上生长氮化钪（ScN）薄膜会导致面心立方（岩盐）晶体结构且具有 (111) 面外取向，而非六方取向。首次通过原位电子衍射在外延过程中观察到 ScN 中的立方 (111) 孪晶图案，并通过电子背散射衍射检测到 ScN 中的孪晶畴，且进一步由 X 射线衍射证实。外延 ScN 薄膜在 750C 生长温度下呈现非常光滑、亚纳米表面粗糙度。温度依赖的霍尔效应测量表明具有约 1x10^20/cm^3 的恒定高浓度 n 型载流子浓度和约 20 cm^2/Vs 的电子迁移率。
引用
@article{arxiv.1908.01045,
title = {Molecular Beam Epitaxy Growth of Scandium Nitride on Hexagonal SiC, GaN, and AlN},
author = {Joseph Casamento and John Wright and Reet Chaudhuri and Huili Grace Xing and Debdeep Jena},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.01045},
year = {2020}
}