立方InN的MBE生长
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
在不同生长温度下，通过射频等离子体辅助MBE在c-GaN缓冲层上生长了立方体InN薄膜。X射线衍射研究表明，c-InN层几乎完全为锌盒结构（立方体）且含有少量在立方层的(111)面上生长的 wurtzite（六方）相。六方相含量随生长温度降低而减小。c-InN(002) rocking curve的全宽半高（FWHM）约为50 arcmin。低温光致发光测量显示，立方InN的带隙约为0.61eV。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702140,
title = {MBE Growth of Cubic InN},
author = {J. Schoermann and D. J. As and K. Lischka},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702140},
year = {2007}
}
备注
3 pages with 3 figures; MRS Symposium, Fall Meeting 2006