高温下 N+ 注入 GaAs 制备 GaN 的光学表征
材料科学
2007-08-17 v1
摘要
通过在 400 deg C 下进行 50 keV N+ 注入并在 N2 氛围中于 900 deg C 退火 15 分钟，在 GaAs 中合成了六方纤锌矿和立方闪锌矿两种 GaN 相。晶体结构研究和拉曼散射研究表明，当注入剂量高于 2x1017 cm-2 时生长出了 GaN 相。温度依赖的光致发光研究显示，在温度 <= 200K 时出现了尖锐的直接带间跃迁峰，能量约为 3.32 eV。该中间带隙值介于六方相 GaN 的约 3.4 eV 和立方相 GaN 的约 3.27 eV 之间，表明形成了六方与立方混合相。
引用
@article{arxiv.0708.2211,
title = {Optical characterization of GaN by N+ implantation into GaAs at elevated temperature},
author = {S. Dhara and P. Magudapathy and R. Kesavamoorthy and S. Kalavathi and K. G. M. Nair and G. M. Hsu and L. C. Chen and K. H. Chen and K. Santhakumar and T. Soga},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.2211},
year = {2007}
}
备注
9 pages, 4 figuresn Journal