GaN/GaAs纳米结构生长机制：通过滴雲生长法结合实验与模拟解释
材料科学
2024-10-23 v1
摘要
本工作提出并研究了镍化硝化物 gallium nitride (GaN) 纳米结构，其生长于掺杂硝化物 gallium arsenide (GaAs) 基底上，基底具有(111)A晶面取向。通过滴雲生长法设计了这些纳米结构，并通过X射线光电子能谱(XPS)进行原位研究，通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)进行原位研究。这些研究结合动力蒙特卡罗模拟，以精确理解硝化过程中发生的现象，并寻找实现镍化硝化物中镍化物滴雲完整硝化的最佳条件。HRTEM观察显示，在300{\deg}C下进行硝化，GaN纳米点呈现立方体(�锆盒)晶体结构。通过在滴雲硝化过程中将温度从100{\deg}C升至350{\deg}C，实现了超过1011cm-2密度的GaN纳米点的锈锆盒晶体性。
引用
@article{arxiv.2410.16847,
title = {Growth mechanisms of GaN/GaAs nanostructures by droplet epitaxy explained by complementary experiments and simulations},
author = {Guy Tsamo and Alla G. Nastovjak and Nataliya L. Shwartz and Philip E. Hoggan and Christine Robert-Goumet and Alberto Pimpinelli and Matthieu Petit and Alain Ranguis and Emmanuel Gardes and Mamour Sall and Luc Bideux and Guillaume Monier},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.16847},
year = {2024}
}