基于贝叶斯优化探索 GaN(0001) 表面新重构结构
材料科学
2022-01-27 v1
摘要
具有 Ga 与 H 吸附的 GaN(0001) 表面是半导体薄膜外延生长的基础平台。我们通过密度泛函计算结合贝叶斯优化，在纳米尺度上探索稳定表面结构，并在数十万种可能候选结构中成功获得一种混合焓足够低的单一结构。我们发现所得结构不含任何先前由人类直觉假设的高对称性，在局部满足电子计数规则，并展现出反映氮化物半导体特征的新的吸附排列。
引用
@article{arxiv.2110.12642,
title = {Exploration of a new reconstructed structure on GaN(0001) surface by Bayesian optimization},
author = {Akira Kusaba and Yoshihiro Kangawa and Tetsuji Kuboyama and Atsushi Oshiyama},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.12642},
year = {2022}
}
备注
6 pages, 5 figures