利用反射高能电子衍射原位表征立方氮化镓的生长模式
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
通过等离子体辅助分子束外延在3C-SiC (001)衬底上生长了立方GaN层。使用原位反射高能电子衍射定量确定生长过程中GaN表面的Ga覆盖率。使用电子束强度作为探针，发现当表面形成1 ML Ga覆盖率时，c-GaN的生长条件最佳。当生长过程中建立1 ML的Ga覆盖率时，1微米厚的c-GaN层具有2.5 nm的最小表面粗糙度。这些样品还显示出(002)摇摆曲线的最小半高全宽。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0702018,
title = {In situ growth regime characterization of cubic GaN using reflection high energy electron diffraction},
author = {J. Schoermann and S. Potthast and D. J. As and K. Lischka},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0702018},
year = {2007}
}
备注
3pages with 4 figures