通过四极质谱和反射高能电子衍射对GaN原位分解的分析
材料科学
2024-02-01 v1
摘要
分析了纤锌矿(0001)取向GaN的热分解：在真空中、在活性N暴露下以及在射频等离子体辅助分子束外延生长过程中。通过使用原位四极质谱测量Ga脱附，确定了GaN分解速率，其表现出Arrhenius行为，表观活化能为3.1 eV。反射高能电子衍射测量中清晰的强度振荡特征有助于对分解速率进行补充评估，并揭示了真空中的逐层分解模式。在真空下或富N生长条件下暴露于活性氮，均因GaN分解而显著减少了GaN损失。
引用
@article{arxiv.2401.17339,
title = {In situ GaN decomposition analysis by quadrupole mass spectrometry and reflection high-energy electron diffraction},
author = {S. Fernández-Garrido and G. Koblmüller and E. Calleja and J. S. Speck},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.17339},
year = {2024}
}