GaN 中光学活性 Er$^{3+}$ 中心的杂化密度泛函研究
材料科学
2017-10-30 v2
摘要
理解掺铒 (Er) GaN 的发光需要详细了解稀土掺杂剂与氮化物主体之间的相互作用，包括主体材料中可能存在的内在缺陷和其他杂质。我们通过第一性原理杂化密度泛函研究 Er 杂质及其与纤锌矿 GaN 中 N 和 Ga 空位、替代位 C 和 O 杂质以及 H 间隙的复合体的结构、能量学和跃迁能级来解决此问题。我们发现，在材料内部，Er 是主导的 Er 中心，形成能为 1.55 eV；Er- 在 0.61 eV 处具有深施主能级，可协助将能量转移到 4 电子核心。在掺 Er 的 GaN 中可能存在多个光学活性 Er 中心。
引用
@article{arxiv.1509.03908,
title = {Hybrid density functional study of optically active Er$^{3+}$ centers in GaN},
author = {Khang Hoang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.03908},
year = {2017}
}
备注
4 pages, 3 figures; minor changes. in Phys. Status Solidi RRL (2015)