n型 GaN 光致发光的热力学稳定性
材料科学
2007-05-23 v2
摘要
我们测量了与无意图掺杂 GaN 热力学稳定性相关的光致发光的温度依赖性。供体原子的反应能 U 为 0.1 eV，浅供体比深中心更稳定。将 impurity 转化应用于低温下的无意图掺杂 GaN，并提供浅-深转化的反应能 U。我们提出，无意图掺杂 wurtite 结构 GaN 中 DX 中心的来源可考虑为氧杂质而非硅。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411224,
title = {Metastability from Photoluminescence of n-type GaN},
author = {C. S. Park and T. W. Kang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411224},
year = {2007}
}
备注
9 pages, 3 figures