Sn δ掺杂 GaAs 结构中波长相关的正负持久光导行为
材料科学
2009-10-31 v2
摘要
研究了在 λ=650-1200 nm 的波长范围内、T=4.2-300 K 温度区间内，对 Sn δ掺杂 GaAs 结构的光导行为。通过在高磁场下的磁阻、Shubnikov-de Haas 效应和霍尔效应测量，确定了在照明前后电子浓度和迁移率。对于高度掺杂结构（n_H>2×10^13 cm^-2），在波长大于主机材料带隙波长（T=4.2 K 时为 815 nm）的光照下，首先观察到正持久光导（PPPC），随后观察到负持久光导（NPPC）。NPPC 归因于 DX 中心的电离，PPPC 解释为电子从基片中的 Cr 掺杂态中激发。对于 λ<815 nm，除了上述现象外，还贡献了电子跨越 GaAs 带隙的激发。对于轻度掺杂结构（n_H≤2×10^13 cm^-2），光导效应始终为正。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9909201,
title = {Wavelength dependent negative and positive persistent photoconductivity in Sn delta-doped GaAs structures},
author = {V. A. Kulbachinskii and V. G. Kytin and A. V. Golikov and R. A. Lunin and R. T. F. van Schaijk and A. de Visser and A. P. Senichkin and A. S. Bugaev},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9909201},
year = {2009}
}
备注
17 pages (includes 6 figures); Postscript file; Semicond. Sci. Technol. in print