GaAs 中的 Sn δ掺杂
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
我们使用已知的分子束外延生长技术制造了多个Sn δ掺杂的GaAs结构。通过在低温下和最高可达38 T的高磁场下的磁电阻实验对所得样品进行表征。Hall 效应和Shubnikov-de Haas measurements 显示，所获得的载流子浓度高于其他δ掺杂剂（如Si和Be）。由Hall 效应确定的最大载流子浓度为8.4×10^13 cm^-2。对于所有样品，都观察到多个Shubnikov-de Haas频率，表明多个能子亚带被占据。通过测量磁场位于δ层平面内时的磁阻来确定亚带的去占据场。实验结果与自洽能带计算结果良好一致。这些计算表明，在载流子浓度最高的样品中，L 点处的导带也被占据。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9907289,
title = {Sn delta-doping in GaAs},
author = {V. A. Kulbachinskii and V. G. Kytin and R. A. Lunin and A. V. Golikov and V. G. Mokerov and A. S. Bugaev and A. P. Senichkin and R. T. F. van Schaijk and A. de Visser and P. M. Koenraad},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9907289},
year = {2009}
}
备注
11 pages text (ps), 9 figures (ps), submitted to Semicon. Science Techn