采用超薄（1 nm）隔离层的 ${\beta}-(Al_{0.18}Ga_{0.82})_2O_3/Ga_2O_3$ 高电子密度调制掺杂
应用物理
2019-10-28 v1 材料科学
其他凝聚态物理
摘要
我们报道了 调制掺杂异质结构的设计与实现，以获得高面电荷密度。在 调制掺杂结构中，研究了在 Si δ 掺杂与异质结界面之间使用薄隔离层的方案。我们发现该策略可使二维电子气（2DEG）面电荷密度提升至 6.1x10^12 cm^2，迁移率为 147 cm^2/Vs。低温有效迁移率 378 cm^2/V-s 的测量结果以及低温电容电压测量中载流子未出现冻结现象，证实了简并 2DEG 沟道的存在。6.1x10^12 cm^2 的电子密度是在 异质结系统中无并行导电通道时所报道的最高面电荷密度。
引用
@article{arxiv.1910.11521,
title = {High electron density ${\beta}-(Al_{0.18}Ga_{0.82})_2O_3/Ga_2O_3$ modulation doping using ultra-thin (1 nm) spacer layer},
author = {Nidhin Kurian Kalarickal and Zhanbo Xia and Joe Mcglone and Yumo Liu and Wyatt Moore and Aaron Arehart and Steve Ringel and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.11521},
year = {2019}
}