通过δ掺杂增强SrTiO3中的电子迁移率
强关联电子
2012-11-14 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们在SrTiO3薄膜中制备了高迁移率的δ掺杂结构，以研究该体系中受限载流子的低温电子输运特性。随着掺杂层厚度的减小，观察到电子迁移率高于体材料的增强。高场霍尔测量表明，这种迁移率增强源于未掺杂洁净区域中具有更高迁移率的电子，这些电子通过量子力学效应从掺杂层展宽而来。由于各层之间没有明显的晶格失配，该结构非常适合研究SrTiO3中的二维电子气。
引用
@article{arxiv.1011.0159,
title = {Enhancing the electron mobility via delta-doping in SrTiO3},
author = {Y. Kozuka and M. Kim and H. Ohta and Y. Hikita and C. Bell and H. Y. Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.0159},
year = {2012}
}
备注
14 pages, 4 figures