通过缺陷管理实现掺杂SrTiO3薄膜中电子迁移率的显著提升
强关联电子
2012-11-14 v1
摘要
我们报道了通过脉冲激光沉积法制备的具有体材料质量的n型SrTiO3 (n-SrTiO3)薄膜，其在2 K时的电子迁移率高达6600 cm2 V-1 s-1，载流子密度低至2.0 x 10^18 cm-3 (~ 0.02 at. %)，远远超过以往的脉冲激光沉积薄膜。这一结果源于精确的锶和氧空位缺陷化学管理，为复杂氧化物异质外延中的缺陷控制提供了一种通用方法。
引用
@article{arxiv.1006.1564,
title = {Dramatic Mobility Enhancements in Doped SrTiO3 Thin Films by Defect Management},
author = {Y. Kozuka and Y. Hikita and C. Bell and H. Y. Hwang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.1564},
year = {2012}
}
备注
13 pages, 4 figures