Undoped 和 n型掺杂 ZnO 薄膜中主要载流子迁移率
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
通过激光分子束外延法制备了透明导电的 ZnO:Ga 薄膜。通过温度依赖的霍尔效应技术对其电子性能进行了研究。300 K 时载流子浓度和迁移率分别约为 cm 和 440 cm/Vs。在实验“迁移率随浓度”曲线中观察到一种异常现象，即当 cm 时的迁移率显著小于在更高浓度（ cm）以上时的迁移率。考虑到包括离子化供电子和氧陷阱在内的多种散射中心，以解释霍尔迁移率随载流子浓度变化的观察结果。散射机制以晶粒间势垛和带电杂质为依据进行解释。对比理论结果与实验数据。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0510340,
title = {Majority-Carrier Mobilities in Undoped and \textit{n}-type Doped ZnO Epitaxial Layers},
author = {T. Makino and Y. Segawa and A. Tsukazaki and A. Ohtomo and M. Kawasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0510340},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 1 figure, conference on II-VI compounds, RevTeX