碳化硅上外延石墨烯的霍尔效应迁移率
介观与纳米尺度物理
2012-08-27 v1 材料科学
摘要
通过在真空中从 4H-和 6H-SiC 的 (0001) 和 (000-1) 面硅升华，生长了外延石墨烯薄膜。在 300 K 和 77 K 下测量了薄膜的霍尔效应迁移率和薄层载流子密度，数据依赖于生长面。约 40% 的样品以空穴为主要载流子，与面无关。通常，迁移率随载流子密度降低而增加，与载流子类型和衬底多型无关。讨论了散射机制对薄膜电导率的贡献。结果表明，在 300 K 下接近本征载流子密度时，(000-1) 面上的外延石墨烯迁移率约为 150,000 cm²V⁻¹s⁻¹，而 (0001) 面上约为 5,800 cm²V⁻¹s⁻¹。
引用
@article{arxiv.0907.5026,
title = {Hall Effect Mobility of Epitaxial Graphene Grown on Silicon Carbide},
author = {Joseph L. Tedesco and Brenda L. VanMil and Rachael L. Myers-Ward and Joseph M. McCrate and Stephen A. Kitt and Paul M. Campbell and Glenn G. Jernigan and James C. Culbertson and Charles R. Eddy, and D. Kurt Gaskill},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.5026},
year = {2012}
}
备注
Accepted for publication in Applied Physics Letters, 10 pages, 2 figures