基于外延石墨烯的大面积量子霍尔效应器件的制备与研究
介观与纳米尺度物理
2014-12-09 v1
摘要
本文制备并研究了生长在 SiC 上的外延石墨烯薄膜为基础的量子霍尔效应（QHE）器件，旨在开发 QHE 电阻标准。霍尔器件中的石墨烯-金属接触区得到了改进，并采用双层金属化工艺进行制备。测试器件的初始载流子浓度为 (0.6 - 10)*10^11 1/cm^2，并在相对较低（3 T）的磁场下表现出半整数量子霍尔效应。应用光化学门控方法与样品退火，为将载流子密度调节至最佳值提供了一种便捷途径。在中等磁场强度（<7 T）下，对石墨烯和 GaAs 器件的量子霍尔电阻（QHR）进行的精确测量显示，其相对一致性在 6*10^-9 以内。
引用
@article{arxiv.1412.2590,
title = {Fabrication and Study of Large Area QHE Devices Based on Epitaxial Graphene},
author = {S. Novikov and N. Lebedeva and K. Pierz and A. Satrapinski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.2590},
year = {2014}
}
备注
6 pages, 9 figures, 3 tables