低磁场下外延石墨烯器件的精密量子霍尔电阻测量
介观与纳米尺度物理
2015-06-16 v1
摘要
在温度 K 和低磁场 ( T - T) 下，对大面积外延石墨烯器件进行了精密量子霍尔电阻 (QHR) 测量。霍尔电阻使用低温电流比较仪电阻电桥进行测量，偏置电流 微安。结果表明，在 T 时，霍尔电阻相对于预期量子化值 的相对偏差在 的实验不确定度范围内，并且在低至 T 时仍保持在 0.35 ppm (parts per million) 以下。
引用
@article{arxiv.1308.0456,
title = {Precision Quantum Hall Resistance Measurement on Epitaxial Graphene Device in Low Magnetic Field},
author = {A. Satrapinski and S. Novikov and N. Lebedeva},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.0456},
year = {2015}
}