用于电阻计量的石墨烯基器件技术拓展
介观与纳米尺度物理
2022-02-15 v1
摘要
量子霍尔计量领域随着 GaAs 基器件的实现而强劲起步,因为二维材料系统提供了包括相关测量基础设施在内的有趣量子现象通道。随着技术铺开,在过去二十年中,随着 EG 基量子化霍尔电阻(QHR)器件确立为国家基准,基础设施与标准均取得进一步改进。由于计量界已达成一定共识,即与 GaAs 基 QHR 器件的比对已完成,关于单霍尔条 EG 基 QHR 如何进一步发展的下一步骤变得清晰。自 90 年代初以来,QHR 器件具备互连若干单霍尔条元件的手段这一直是适度关注点,并自此成为研究课题。国家计量院(NMIs)目前正处于必须考量超越仅操作简便性的节点。电阻标准的自然方向是扩大总可及参数空间。这意味着使用 EG 基 QHR 器件输出多于 平台(约 12.9 k)处的单值。首要自然问题是能否使用 平台或 平台,尽管石墨烯中这些朗道能级已有一些工作,它们 simply 无法提供与 平台同等的精度。
引用
@article{arxiv.2202.05954,
title = {Expansion of Graphene-Based Device Technology for Resistance Metrology},
author = {Albert F. Rigosi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.05954},
year = {2022}
}