多端顶栅石墨烯器件的量子霍尔电阻
介观与纳米尺度物理
2012-03-05 v3
摘要
在量子霍尔(QH)区域下，测量了局部栅控石墨烯器件的四端电阻，包括纵向电阻和对角电阻。与先前的两端研究[J. R. Williams \textit{et al.}, Science {\bf 317}, 638 (2007); B. "{O}zyilmaz \textit{et al.}, Phys. Rev. Lett. {\bf 99}, 166804 (2007)]形成鲜明对比的是，观察到了非对称的QH电阻，这提供了关于QH边缘态反射和透射的信息。大多数量子化电阻值可以通过假设所有边缘态均等占据来很好地分析。然而，与预期相反，还发现了边缘态的5/2透射，这可能是由于不完全的模式混合和/或反向传播边缘态的存在造成的。这种四端方案可方便地用于研究局部栅控石墨烯器件以及单层和多层石墨烯混合结构中的边缘态平衡。
引用
@article{arxiv.0903.0213,
title = {Quantum Hall resistances of multiterminal top-gated graphene device},
author = {Dong-Keun Ki and Hu-Jong Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.0213},
year = {2012}
}
备注
6 pages, 4 figures. Typos and equations (2-4) have been corrected. Phys. Rev. B 79, 195327 (2009)