石墨烯霍尔条中的量子输运:侧栅的效应
介观与纳米尺度物理
2017-04-26 v1
摘要
在量子化外磁场存在下,研究了侧栅石墨烯霍尔条中的量子电子输运。四个侧栅的非对称势使原本平坦的相对论朗道能级能带发生畸变,并在朗道谱中产生新的传播态(即蛇态)。这些新态的存在导致弯曲电阻与霍尔电阻的有趣修正,新的量子化平台出现在朗道能级附近。通过研究入射与出射模式的电流密度分布,可以理解该系统中的电子导引。由被导引的电子无任何背散射地完全透射(类似于边缘态)这一事实,我们得以解析预测量子化电阻的值,并且它们与我们用数值(紧束缚)方法获得的电阻数据相符。这些关于电子导引的见解将有助于预测其他侧栅构型、并可能在其他系统几何中的电阻,只要被导引态不存在背散射。
引用
@article{arxiv.1702.00862,
title = {Quantum transport in graphene Hall bars: Effects of side gates},
author = {M. D. Petrović and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.00862},
year = {2017}
}
备注
8 pages, 9 figures