利用石墨烯侧栅对石墨烯霍尔棒进行局域门控
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们研究了带有附加石墨烯侧栅的单层石墨烯霍尔棒的磁输运性质。在无磁场情况下，侧栅效应可通过考虑霍尔棒内的两个平行导电通道来建模。由此得出侧栅产生场的平均穿透深度约为 90 nm。侧栅在量子霍尔区同样有效，能够调节纵向电阻和霍尔电阻。
引用
@article{arxiv.0709.2970,
title = {Local gating of a graphene Hall bar by graphene side gates},
author = {F. Molitor and J. Güttinger and C. Stampfer and D. Graf and T. Ihn and K. Ensslin},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.2970},
year = {2009}
}