石墨烯侧栅工程
介观与纳米尺度物理
2014-10-29 v1
摘要
各种介观器件利用静电侧栅进行工作。在本文中，我们研究了石墨烯侧栅的电压偏置如何调制石墨烯沟道的电输运特性。我们探索了单层和双层石墨烯中无数种典型的侧栅器件，如对称双侧栅和非对称单侧栅偏置。侧栅调制石墨烯沟道中的静电掺杂，其效应反映在输运测量中。我们对所有器件的这种调制效率进行了系统表征，结果与所提出的模型吻合良好。
引用
@article{arxiv.1410.7498,
title = {Graphene Side Gate Engineering},
author = {Ching-Tzu Chen and Tony Low and Hsin-Ying Chiu and Wenjuan Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.7498},
year = {2014}
}
备注
3 pages, 4 figures