静电掺杂调控的类互补石墨烯逻辑门

利用石墨烯实现逻辑电路对于高速纳米电子学极具吸引力。然而，其固有的双极性本质阻碍了采用传统互补架构的石墨烯逻辑器件的形成。通过利用静电掺杂调制，我们在此展示了一种控制电荷中性点的简便方法，并形成一种类互补结构，其中双极性传导被用作构建逻辑器件的优势而非缺陷。还在沟道中引入了带隙以提高石墨烯晶体管的开关比。首次演示了类互补的NOR和NAND逻辑门。该方法为基于双极性石墨烯的逻辑电路提供了一条可能的路径，并且原则上也可推广到其他双极性半导体，例如有机化合物和碳纳米管薄膜。