石墨烯中杂质掺杂的子晶格不对称性：综述

在本综述中，我们强调了关于石墨烯中杂质子晶格不对称掺杂的最新理论和实验工作，重点在于替代型氮掺杂剂。众所周知，石墨烯在电子学应用中的一个当前局限是其在普通状态下没有带隙。通过优先掺杂其两个子晶格中的一个，不仅可以打开带隙（且可通过控制掺杂浓度进行调节），而且理论上可在未掺杂的子晶格中产生准弹道电子输运，这两者都是未来技术中具有竞争力的任何石墨烯器件的重要品质。我们概述了合成此类石墨烯单层的当前实验技术，并详述了解释该效应机制的理论努力，最后为这一新兴领域提出了未来的研究方向。