石墨烯中的杂质共振效应：相对于杂质位置、浓度与子格占据
介观与纳米尺度物理
2020-10-21 v1
摘要
石墨烯独特的电子能带结构在电荷中性点附近具有半金属特征，对杂质效应十分敏感。利用 Lifshitz 与 Anderson 杂质模型，我们详细研究了石墨烯电子能带结构中无序诱导的谱现象，即共振、准能隙、束缚态、杂质子带的形成，以及它们对电子能带重构和相关的类 Mott 金属-绝缘体转变的总体影响。我们对实际杂质（包括替代式与吸附式）进行了系统的解析与数值研究，重点关注源于杂质吸附原子位置（顶位、桥位与空位）、浓度、宿主子格占据、扰动强度等的效应。同时也讨论了可能的实验与实际意义。
引用
@article{arxiv.2005.12643,
title = {Impurity resonance effects in graphene $vs$ impurity location, concentration and sublattice occupation},
author = {Yuriy G. Pogorelov and Vadim M. Loktev and Denis Kochan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.12643},
year = {2020}
}
备注
20 pages (including appendices), 17 figures