氮掺杂对石墨烯线性和非线性太赫兹响应的影响
介观与纳米尺度物理
2021-10-13 v1
摘要
众所周知，杂质在石墨烯在光学和太赫兹频率下的线性和非线性响应中起着核心作用。在这项工作中，我们使用密度泛函紧束缚方法计算了氮掺杂单层石墨烯的能带和带内偶极连接元。利用这些结果，我们在长度规范下采用密度矩阵方法计算了掺杂石墨烯对太赫兹脉冲的线性和非线性响应。我们给出了吸附氮掺杂和取代氮掺杂在不同掺杂密度下石墨烯的线性和非线性迁移率以及三次谐波生成的结果。我们表明，具有取代氮掺杂的石墨烯结构中的导带比具有吸附氮的结构更具抛物线形。因此，取代掺杂对石墨烯太赫兹迁移率和非线性响应的影响大于吸附氮。
引用
@article{arxiv.2106.06119,
title = {The impact of nitrogen doping on the linear and nonlinear terahertz response of graphene},
author = {Roozbeh Anvari and Eugene Zaremba and Marc M. Dignam},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.06119},
year = {2021}
}
备注
16 pages, 9 figures