石墨烯双层中非对称掺杂导致的能隙开启
介观与纳米尺度物理
2010-12-14 v1
摘要
我们研究了由非对称掺杂引起的石墨烯双层电子谱中的能隙开启。考虑了替位杂质（硼受主和氮施主）以及吸附的钾施主。将能隙随掺杂浓度的演变与通过外加电场在层间引入不对称性的情况进行了比较。吸附钾的效果与电场类似，但替位杂质的行为则大不相同，表现出更小的带隙以及对无序和子晶格占据的高度敏感性。
引用
@article{arxiv.1012.2495,
title = {Gap Opening by Asymmetric Doping in Graphene Bilayers},
author = {Marcos G. Menezes and Rodrigo B. Capaz and Jorge L. B. Faria},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.2495},
year = {2010}
}
备注
6 pages and 7 figures