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石墨烯器件中的化学掺杂与电子-空穴传导不对称性

介观与纳米尺度物理 2015-05-13 v1

摘要

我们研究了聚乙烯亚胺和重氮盐作为石墨烯上稳定且互补的掺杂剂。用这些分子掺杂的石墨烯器件的输运表现出电子和空穴电导的不对称性。一种载流子的电导得以保持,而另一种载流子的电导则降低。基于非平衡格林函数形式体系的模拟表明,这种不对称性的根源是电极与沟道中性点错位导致的石墨烯电极载流子注入不平衡。

关键词

引用

@article{arxiv.0812.1742,
  title  = {Chemical Doping and Electron-Hole Conduction Asymmetry in Graphene Devices},
  author = {Damon B. Farmer and Roksana Golizadeh-Mojarad and Vasili Perebeinos and Yu-Ming Lin and George S. Tulevski and James C. Tsang and Phaedon Avouris},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0812.1742},
  year   = {2015}
}